Компания Samsung подготовила к выпуску несколько интересных компонентов для мобильных устройств, которые призваны повысить их производительность, и в то же время снизить уровень энергопотребления. Все они были продемонстрированы на ежегодном мероприятии Samsung Mobile Solutions Forum.

Два новых экономичных процессора, основанных на архитектуре ARM CORTEX A8, работают на частоте 1 ГГц. При этом модель S5PC110 предназначена для применения в составе смартфонов или портативных мультимедийных проигрывателей, а чип S5PV210 ориентирован на применение в нетбуках и UMPC, он поддерживает работу памяти стандарта DDR2 в двухканальном режиме с 32-битной шиной доступа. Оба устройства производятся по нормам 45-нанометрового технологического процесса, содержат по 32 КБ кэш-памяти для инструкций и данных, 512 КБ кэш-памяти второго уровня и встроенный графический чип. Новинки отличаются низким уровнем энергопотребления, но в то же время обеспечивают высокую производительность при выполнении приложений, а также способны воспроизводить Full HD видео в разрешении 1080p со скоростью 30 кадров в секунду. Устройства обладают поддержкой интерфейсов HDMI 1.3 и USB 2.0. Оба чипа должны появиться на рынке в виде образцов в декабре этого года.

Также был представлен 5-мегапиксельный SoC (system-on-chip) сенсор S5K4EA, предназначенный для применения в составе мобильных телефонов и смартфонов. Такой сенсор отличается более высокой чувствительностью, реалистичной цветопередачей и способен улучшить обработку затененных участков снимка. Кроме того, устройство поддерживает возможность цифровой стабилизации изображения и способно осуществлять запись видео в разрешении 1080p со скоростью 30 кадров в секунду. Чип поддерживает функцию автоматической фокусировки, совместим с электронными и механическими затворами, поддерживает интерфейсы MIPI2 и YUV. Образцы сенсоров S5K4EA уже доступны для разработчиков, а массовое их производство запланировано на первый квартал 2010 года.

Дополнительно сообщается о выпуске чипов памяти OneDRAM емкостью 1 ГБ, ориентированных на применение в составе мобильных телефонов и смартфонов. Первые образцы такой памяти емкостью 512 МБ были представлены в 2008 году. Теперь же удалось повысить их емкость в два раза, увеличить пропускную способность на 20% (до 1,3 Гб/с). Также сообщается, что память OneDRAM работает в семь раз быстрее традиционной памяти для мобильных телефонов dual-port RAM. При этом чипы занимают меньше места на печатной плате, благодаря чему ее можно уменьшить на треть. Кроме того, память OneDRAM может быть использована в одной PoP (package-on-package) упаковке высотой всего 1,5 мм совместно с процессором, памятью NAND или OneNAND, в результате чего печатная плата может быть уменьшена на 40%. При этом достигается 7-кратный прирост производительности при снижении энергопотребления на 30%.

Также компания Samsung сообщила о начале выпуска чипов памяти PRAM (phase change random access memory) емкостью 512 МБ, которые позиционируются для применения в составе высокопроизводительных мобильных устройств. Сообщается, что такая память отличается высокой энергоэффективностью, и ее применение может привести к увеличению времени автономной работы смартфонов на 20% при использовании аккумуляторов той же емкости. Кроме того, скорость работы устройств также находится на высоком уровне, чипы памяти PRAM емкостью 512 МБ способны стирать 64 KW (Kilowords) за 80 мс, что в 10 раз быстрее существующей флэш-памяти NOR, а при сегментах объемом 5 МБ стирание и перезапись данных осуществляется в 7 раз быстрее.

Последней представленной новинкой является контроллер сенсорного экрана для мобильных устройств на одном чипе - DDI (display driver IC). Такой чип, о ... Читать дальше »